| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
|
|
| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
|
|
| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N3055U |
硅 NPN |
. |
|
|
| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
