| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7288H |
N沟 250V 9A 75W Ron=0.415Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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