| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| 2N3055 |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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