| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2N7275H |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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