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晶体管技术参数查询--杭州精灵电子
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晶体管型号晶体管参数用途封装简介
BC270C 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
2N3055A 硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz 普通用途
BC266B 硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K 普通用途
BC267 硅 NPN 50V 0.5A 0.375W 普通用途
BC264LB N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
AF280VII 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
BC263LD N沟 30V 7-12mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC262A 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC268A 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
BC264B N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W 通用型场效应管
BC269C 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 低噪声管
BC266A 硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K 普通用途
BC264LA N沟 30V 2-4.5mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC261B 硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC268C 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
BC270B 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC262C 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC270-5 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC270-6 硅 NPN 20V 0.5A 0.375W 普通用途
BC264D N沟 30V 7-12mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC264A N沟 30V 2-4.5mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC269B 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 低噪声管
BC264C N沟 30V 5-8mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC263 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K 低噪声管
2N7236 P 沟 100V 18A 125W 金属氧化物场效应管
BC268 硅 NPN 30V 0.5A 0.357W 普通用途
2SA1015 硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K
2N7274H N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω MOS场效应功率放大管
2N7274R N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω MOS场效应功率放大管
2N7228J N沟 500V 12A 金属氧化物场效应功率放大管
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