晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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2N3055U |
硅 NPN |
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2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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2N3055 |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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2N3055V |
硅 NPN |
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2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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