| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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