| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N7275H |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7288H |
N沟 250V 9A 75W Ron=0.415Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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