| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC261 |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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